ASTM F1153-92(2002)
- Estándar No.
- ASTM F1153-92(2002)
- Fecha de publicación
- 1970
- Organización
- /
- Ultima versión
- ASTM F1153-92(2002)
- Alcance
- 1.1 Este método de prueba cubre procedimientos para medir estructuras de óxido de metal-silicio (MOS) para capacitancia de banda plana, voltaje de banda plana, concentración promedio de portador dentro de una longitud de agotamiento de la interfaz de óxido semiconductor, desplazamiento del voltaje de banda plana después de la aplicación de estrés de voltaje a niveles elevados. temperaturas, contaminación de carga iónica móvil y densidad total de carga fija. También se cubre un procedimiento para detectar la presencia de uniones PN en la región subsuperficial de silicio epitaxial o en masa. 1.2 El procedimiento es aplicable al silicio a granel tipo n y tipo p con una concentración de portadores de 5 3 10 14 a 5 3 10 16 portadores por cm 3 , inclusive, y silicio epitaxial N/N + y P/P + con el mismo rango de concentración de portadores. 1.3 El procedimiento es aplicable para probetas con espesores de óxido de 50 a 300 nm. 1.4 El procedimiento puede dar una indicación del nivel de defectos dentro de la estructura MOS. Estos defectos incluyen carga atrapada en la interfaz, carga de óxido fijo, carga de óxido atrapado y capas de inversión permanente. 1.5 La precisión del procedimiento puede verse afectada por faltas de homogeneidad en el óxido o en el semiconductor paralelo a la interfaz semiconductor-óxido. 1.6 El procedimiento es aplicable para la medición de concentraciones de carga iónica móvil de 1 3 1010 cm −2 o mayores. Es posible que se requieran técnicas alternativas, como el método de barrido de voltaje triangular 2 (1), cuando se deben medir concentraciones de carga iónica móvil inferiores a 1 3 10 10 cm −2. 1.7 El procedimiento es aplicable para medir la densidad de carga fija total de 5 3 10 10 cm −2 o mayor. Es posible que se requieran técnicas alternativas, como el método de conductancia (2), cuando se debe medir el componente de densidad de carga atrapada en la interfaz de la carga fija total de menos de 5 3 10 10 cm −2. 1.8 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso.
ASTM F1153-92(2002) Documento de referencia
ASTM F1153-92(2002) Historia
- 1970 ASTM F1153-92(2002)
- 1992 ASTM F1153-92(1997) Método de prueba estándar para la caracterización de estructuras de metal-óxido-silicio (MOS) mediante mediciones de capacitancia-voltaje
