BS EN 15991:2015
Ensayos de materiales cerámicos y básicos. Determinación directa de fracciones de masa de impurezas en polvos y gránulos de carburo de silicio mediante espectrometría de emisión óptica de plasma acoplado inductivamente (ICP OES) con vaporización electrotérmica (ETV)
- Estándar No.
- BS EN 15991:2015
- Fecha de publicación
- 2015
- Organización
- British Standards Institution (BSI)
- Ultima versión
- BS EN 15991:2015
- Reemplazar
- BS EN 15991:2011
BS EN 15991:2015 Documento de referencia
- EN ISO 21068-1:2008 Análisis químico de materias primas y productos refractarios que contienen carburo de silicio. Parte 1: Información general y preparación de muestras (ISO 21068-1:2008)
- ISO 21068-1:2008 Análisis químico de materias primas y productos refractarios que contienen carburo de silicio. Parte 1: Información general y preparación de muestras.
- ISO 5022:1979 Productos refractarios moldeados; Pruebas de muestreo y aceptación.
- ISO 5725-2:1994 Exactitud (veracidad y precisión) de los métodos y resultados de medición. Parte 2: Método básico para la determinación de la repetibilidad y reproducibilidad de un método de medición estándar.
- ISO 5725-4:1994 Exactitud (veracidad y precisión) de los métodos y resultados de medición - Parte 4: Métodos básicos para la determinación de la veracidad de un método de medición estándar
- ISO 8656-1:1988 Productos refractarios; muestreo de materias primas y productos sin forma; parte 1: esquema de muestreo
- ISO/IEC Guide 98-3 Incertidumbre de medición - Guía para la expresión de la incertidumbre en la medición (GUM:1995). Ampliación a cualquier número de cantidades de salida.
BS EN 15991:2015 Historia
- 2015 BS EN 15991:2015 Ensayos de materiales cerámicos y básicos. Determinación directa de fracciones de masa de impurezas en polvos y gránulos de carburo de silicio mediante espectrometría de emisión óptica de plasma acoplado inductivamente (ICP OES) con vaporización electrotérmica (ETV)
- 2011 BS EN 15991:2011 Ensayos de materiales cerámicos y básicos. Determinación directa de fracciones de masa de impurezas en polvos y gránulos de carburo de silicio mediante espectrometría de emisión óptica de plasma acoplado inductivamente (ICP OES) con vaporización electrotérmica (ETV)
