SJ/T 2658.12-2015
Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Parte 12: Longitud de onda de emisión máxima y ancho de banda radiante espectral. (Versión en inglés)

Estándar No.
SJ/T 2658.12-2015
Idiomas
Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación
2015
Organización
Professional Standard - Electron
Ultima versión
SJ/T 2658.12-2015
Reemplazar
SJ 2658.12-1986
Alcance
Esta parte especifica el diagrama del principio de medición, los pasos de medición y las condiciones específicas para la longitud de onda de emisión máxima y el ancho de banda de radiación espectral de diodos emisores de infrarrojos semiconductores (en lo sucesivo, dispositivos). Esta sección se aplica a los diodos emisores de infrarrojos semiconductores.

SJ/T 2658.12-2015 Documento de referencia

  • SJ/T 2658.1 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos.Parte 1: Generalidades

SJ/T 2658.12-2015 Historia

  • 2015 SJ/T 2658.12-2015 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Parte 12: Longitud de onda de emisión máxima y ancho de banda radiante espectral.
  • 1970 SJ 2658.12-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para la longitud de onda de emisión máxima y la mitad del ancho espectral

SJ/T 2658.12-2015 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Parte 12: Longitud de onda de emisión máxima y ancho de banda radiante espectral. ha sido cambiado a SJ 2658.12-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para la longitud de onda de emisión máxima y la mitad del ancho espectral.




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