IEC 60749-6:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura. normas y especificaciones

Alcance: El propósito de esta parte de IEC 60749 es probar y determinar el efecto en todos los dispositivos electrónicos de estado sólido del almacenamiento a temperatura elevada sin aplicar tensión eléctrica. Esta prueba se utiliza normalmente para determinar los efectos del tiempo y la temperatura, en condiciones de almacenamiento, para métodos de falla activados térmicamente y el tiempo hasta la falla de dispositivos electrónicos de estado sólido, incluidos los dispositivos de memoria no volátiles (mecanismos de falla de retención de datos). Esta prueba se considera no destructiva pero se debe utilizar preferentemente para la calificación del dispositivo. Si se utilizan dichos dispositivos para el parto, será necesario evaluar los efectos de esta prueba de estrés altamente acelerada. Los mecanismos de falla activados térmicamente se modelan utilizando la ecuación de Arrhenius para la aceleración, y en la norma IEC 60749-43 se puede encontrar orientación sobre la selección de temperaturas y duraciones de prueba.

IEC 60749-6:2017 Historia

2017 IEC 60749-6:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura.
2003 IEC 60749-6:2002/COR1:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura.
2002 IEC 60749-6:2002 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura.