GB/T 32495-2016 (Versión en inglés)

Estándar No.: GB/T 32495-2016
Idiomas: Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación: 2016
Organización: General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Ultima versión: GB/T 32495-2016

Alcance: Esta norma especifica en detalle el método de perfilado de profundidad de arsénico en silicio mediante campo magnético sectorial o espectrómetro de masas de iones secundarios cuadrupolo, y el método de calibración de profundidad mediante perfilador de lápiz óptico o interferómetro óptico. Esta norma es aplicable al silicio monocristalino y al silicio policristalino. Para muestras de silicio cristalino, la profundidad de la picadura es de 50 nm o más.

GB/T 32495-2016 Documento de referencia

GB/T 20176-2006 Análisis químico de superficies. Espectrometría de masas de iones secundarios. Determinación de la concentración atómica de boro en silicio utilizando materiales dopados uniformemente.
GB/T 22461-2008 Análisis químico de superficies. Vocabulario
GB/T 25186-2010 Análisis químico de superficies. Espectrometría de masas de iones secundarios. Determinación de factores de sensibilidad relativa a partir de materiales de referencia implantados con iones.
ISO 18115-1 Análisis químico de superficies. Vocabulario. Parte 1: Términos generales y términos utilizados en espectroscopia.*， 2023-06-01 Actualizar

2016 GB/T 32495-2016 Análisis químico de superficies. Espectrometría de masas de iones secundarios. Método para perfilar en profundidad el arsénico en silicio.