GB/T 8757-1988
Determinación de la concentración de portadores en arseniuro de galio mediante el mínimo de resonancia plasmática (Versión en inglés)

Estándar No.

GB/T 8757-1988

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

1988

Organización

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

Estado

ser reemplazado 2006-11

Remplazado por

GB/T 8757-2006

Ultima versión

GB/T 8757-2006

Alcance

Esta norma se aplica a la medición de la concentración de portadores en monocristales de arseniuro de galio dopado. Rango de medición: n-GaAs1,0×1017~1,0×1019cm-3; p-GaAs2,0×1018～1,0×10cm-3.

GB/T 8757-1988 Historia

• 2006 GB/T 8757-2006 Determinación de la concentración de portadores en arseniuro de galio mediante el mínimo de resonancia plasmática
• 1988 GB/T 8757-1988 Determinación de la concentración de portadores en arseniuro de galio mediante el mínimo de resonancia plasmática