GB/T 8757-2006
Determinación de la concentración de portadores en arseniuro de galio mediante el mínimo de resonancia plasmática (Versión en inglés)

Estándar No.

GB/T 8757-2006

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

2006

Organización

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

Ultima versión

GB/T 8757-2006

Reemplazar

GB/T 8757-1988

Alcance

Esta norma se aplica a la medición de la concentración de portadores en monocristales de galio dopado. Rango de medición: n-GaAs 1,0*1017 cm-3~1,0*1019 cm-3 p-GaAs 2,0*1018 cm^-3~1,0*1020 cm-3

GB/T 8757-2006 Historia

• 2006 GB/T 8757-2006 Determinación de la concentración de portadores en arseniuro de galio mediante el mínimo de resonancia plasmática
• 1988 GB/T 8757-1988 Determinación de la concentración de portadores en arseniuro de galio mediante el mínimo de resonancia plasmática