BS EN 60749-23:2004+A1:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Vida útil a alta temperatura normas y especificaciones

Alcance: Esta prueba se utiliza para determinar los efectos de las condiciones de polarización y la temperatura en dispositivos de estado sólido a lo largo del tiempo. Simula la condición de funcionamiento del dispositivo de forma acelerada y se utiliza principalmente para la calificación del dispositivo y el monitoreo de confiabilidad. Se puede utilizar una forma de vida sesgada por alta temperatura que utiliza una duración corta, conocida popularmente como "quemado", para detectar fallas relacionadas con la mortalidad infantil. El uso y aplicación detallados del burn-in están fuera del alcance de esta norma.

BS EN 60749-23:2004+A1:2011 Documento de referencia

IEC 60747 Dispositivos semiconductores - Parte 9: Dispositivos discretos - Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)*， 2019-11-13 Actualizar

2004 BS EN 60749-23:2004+A1:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Vida útil a alta temperatura
2004 BS EN 60749-23:2004 Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Vida útil a alta temperatura