IEC 60747-9:2019
Dispositivos semiconductores - Parte 9: Dispositivos discretos - Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
- Estándar No.
- IEC 60747-9:2019
- Fecha de publicación
- 2019
- Organización
- International Electrotechnical Commission (IEC)
- Ultima versión
- IEC 60747-9:2019
IEC 60747-9:2019 Historia
- 2019 IEC 60747-9:2019 Dispositivos semiconductores - Parte 9: Dispositivos discretos - Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
- 2007 IEC 60747-9:2007 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
- 2001 IEC 60747-9/AMD1:2001 Dispositivos semiconductores. Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT); Enmienda 1
- 2001 IEC 60747-9:2001 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
- 1998 IEC 60747-9:1998 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
