ASTM F1894-98(2011)
Método de prueba para cuantificar la composición y el espesor de películas del proceso de semiconductores de siliciuro de tungsteno

Estándar No.

ASTM F1894-98(2011)

Fecha de publicación

1998

Organización

American Society for Testing and Materials (ASTM)

Ultima versión

ASTM F1894-98(2011)

Remplazado por

ANSI/UL 746B-2013

Alcance

Este método de prueba se puede utilizar para garantizar la reproducibilidad absoluta de los sistemas de deposición de películas WSix a lo largo de muchos meses. El lapso de tiempo de las mediciones es esencialmente la vida útil de muchos sistemas de deposición de procesos. Este método de prueba se puede utilizar para calificar nuevos sistemas de deposición WSix para garantizar la duplicabilidad de los sistemas existentes. Este método de prueba es esencial para la coordinación de operaciones globales de fabricación de semiconductores utilizando diferentes servicios analíticos. Este método de prueba permite analizar muestras de varios sistemas de deposición en diferentes sitios y momentos. Este método de prueba es la técnica de calibración elegida para una variedad de técnicas analíticas, que incluyen, entre otras: espectroscopia electrónica para análisis químicos (ESCA o XPS), espectroscopia electrónica Auger (AES), espectroscopia roja infrarroja por transformada de Fourier (FTIR), espectroscopia secundaria espectrometría de masas iónicas (SIMS), espectrometría de dispersión de electrones (EDS) y emisión de rayos X inducida por partículas (PIXE). 1.1 Este método de prueba cubre la determinación cuantitativa de concentraciones de tungsteno y silicio en películas de proceso de semiconductores de tungsteno/silicio (WSix) utilizando Rutherford. Espectrometría de retrodispersión (RBS). (1) Este método de prueba también cubre la detección y cuantificación de impurezas en el rango de masas desde fósforo ?/span> (31 unidades de masa atómica (uma) hasta antimonio (122 uma). 1.2 Este método de prueba se puede utilizar para películas de siliciuro de tungsteno. preparado mediante cualquier proceso de deposición o recocido, o ambos. La película debe ser una película uniforme con una cobertura de área mayor que el haz de iones incidente (8764;2,5 mm). 1.3 Este método de prueba mide con precisión las siguientes propiedades de la película: relación silicio/tungsteno y variaciones con la profundidad, perfil de profundidad de tungsteno en toda la película, espesor de la película WSix, concentraciones de argón (si está presente), presencia de óxido en la superficie de las películas WSix e impurezas de metales de transición hasta límites de detección de 1×1014 átomos/cm2. 1.4 Este método de prueba puede detectar diferencias absolutas en concentraciones de silicio y tungsteno de &±3 y &±1 por ciento atómico, respectivamente, medidas a partir de diferentes muestras en análisis separados. Variaciones relativas en la concentración de tungsteno en profundidad se puede detectar hasta &±0,2 por ciento atómico con una resolución de profundidad de &±70?/span>. 1.5 Este método de prueba respalda y ayuda a calificar películas WSix mediante técnicas de resistividad eléctrica. 1.6 Este método de prueba se puede realizar para películas WSix depositadas sobre sustratos conductores o aislantes. 1.7 Este método de prueba es útil para películas WSix entre 20 y 400 nm con una cobertura de área superior a 1 por 1 mm2. 1.8 Este método de prueba no es destructivo para la película hasta el punto de la pulverización catódica. 1.9 Desde 1993 se realiza un control estadístico del proceso (SPC) de las películas WSix con una reproducibilidad del ±4 %. 1.10 Este método de prueba produce espesores de película precisos modelando la densidad de la película WSix como WSi2 (hexagonal) más exceso de Si2 elemental. El espesor de película medido es un límite inferior al espesor de película real con una precisión inferior al 10 % en comparación con las mediciones de la sección transversal SEM (ver 13.4). 1.11 Este método de prueba se puede utilizar para analizar películas en obleas enteras de hasta 300 mm sin romper las obleas. Los sitios que pueden ser...

ASTM F1894-98(2011) Documento de referencia

• ASTM E1241 Guía estándar para realizar pruebas de toxicidad en las primeras etapas de vida de los peces*， 2004-04-01 Actualizar
• ASTM E673 Terminología estándar relacionada con el análisis de superficies

ASTM F1894-98(2011) Historia

• 1998 ASTM F1894-98(2011) Método de prueba para cuantificar la composición y el espesor de películas del proceso de semiconductores de siliciuro de tungsteno
• 1998 ASTM F1894-98(2003) Método de prueba para cuantificar la composición y el espesor de películas del proceso de semiconductores de siliciuro de tungsteno
• 1998 ASTM F1894-98 Método de prueba para cuantificar la composición y el espesor de películas del proceso de semiconductores de siliciuro de tungsteno