1.1 Este método de prueba cubre la determinación cuantitativa de concentraciones de tungsteno y silicio en películas de proceso semiconductor de tungsteno/silicio (WSIx) utilizando espectrometría de retrodispersión de Rutherford (RBS). (1) Este método de prueba también cubre la detección y cuantificación de impurezas en el rango de masas desde fósforo A (31 unidades de masa atómica (uma) hasta antimonio (122 uma). 1.2 Este método de prueba se puede utilizar para películas de siliciuro de tungsteno preparadas por cualquier procesos de deposición o recocido, o ambos. La película debe ser una película uniforme con una cobertura de área mayor que el haz de iones incidente (~2,5 mm). 1.3 Este método de prueba mide con precisión las siguientes propiedades de la película: relación silicio/tungsteno y variaciones con la profundidad. , perfil de profundidad de tungsteno en toda la película, WSIx, espesor de la película, concentraciones de argón (si están presentes), presencia de óxido en la superficie de las películas WSIx e impurezas de metales de transición hasta límites de detección de 1 x 10 14 átomos/cm2. 1.4 Este método de prueba puede detectar diferencias absolutas en las concentraciones de silicio y tungsteno de +/- 3 y +/- 1 por ciento atómico, respectivamente, medidas a partir de diferentes muestras en análisis separados. Las variaciones relativas en la concentración de tungsteno en profundidad se pueden detectar hasta +/- 0,2 por ciento atómico con un Resolución de profundidad de +/- 70A. 1.5 Este método de prueba respalda y ayuda a calificar películas WSIx mediante técnicas de resistividad eléctrica. 1.6 Este método de prueba se puede realizar para películas WSIx depositadas sobre sustratos conductores o aislantes. 1.7 Este método de prueba es útil para películas WSIx entre 20 y 400 mm con una cobertura de área superior a 1 por 1 mm. 1.8 Este método de prueba no es destructivo para la película hasta el punto de la pulverización catódica. 1.9 Desde 1993 se realiza un control estadístico del proceso (SPC) de las películas WSIx con una reproducibilidad de +/- 4%. 1.10 Este método de prueba produce espesores de película precisos modelando la densidad de la película WSIx como WSI2 (hexagonal) más el exceso de SI2 elemental. El espesor de película medido es un límite inferior al espesor de película real con una precisión inferior al 10% en comparación con las mediciones de sección transversal SEM (ver 13.4) 1.11 Este método de prueba se puede utilizar para analizar películas en obleas enteras de hasta 300 mm sin romperse las obleas. Los sitios que se pueden analizar pueden limitarse a anillos concéntricos cerca de los bordes de la oblea para obleas de 200 mm y 300 mm, según las capacidades del sistema. 1.12 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso.
ASTM F1894-98 Historia
1998ASTM F1894-98(2011) Método de prueba para cuantificar la composición y el espesor de películas del proceso de semiconductores de siliciuro de tungsteno
1998ASTM F1894-98(2003) Método de prueba para cuantificar la composición y el espesor de películas del proceso de semiconductores de siliciuro de tungsteno
1998ASTM F1894-98 Método de prueba para cuantificar la composición y el espesor de películas del proceso de semiconductores de siliciuro de tungsteno