IEC 60749-29:2011
Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 29: Prueba de enganche.
- Estándar No.
- IEC 60749-29:2011
- Fecha de publicación
- 2011
- Organización
- International Electrotechnical Commission (IEC)
- Ultima versión
- IEC 60749-29:2011
- Reemplazar
- IEC 47/2083/FDIS:2011 IEC 60749-29:2003
- Alcance
- "Alcance y objeto Esta parte de IEC 60749 cubre la prueba I y la prueba de enganche de sobretensión de circuitos integrados. Esta prueba se clasifica como destructiva. El propósito de esta prueba es establecer un método para determinar el enganche del circuito integrado (IC). Las características de enganche se utilizan para determinar la confiabilidad del producto y minimizar las fallas de "no se encontraron problemas" (NTF) y "sobreesfuerzo eléctrico" (EOS) debido al enganche. El método de prueba es aplicable principalmente a dispositivos CMOS. Se debe establecer la aplicabilidad a otras tecnologías. La clasificación del enganche en función de la temperatura se define en 3.1 y los criterios de nivel de falla se definen en 3.2".
IEC 60749-29:2011 Historia
- 2011 IEC 60749-29:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 29: Prueba de enganche.
- 2003 IEC 60749-29:2003 Dispositivos de semiconductores Méthodes d?essais mécaniques et climatiques Parte 29: Ensai de verrouillage (Edición 1.0; reemplaza IEC PAS 62181)
