DIN EN 15991:2011
Ensayos de materiales cerámicos y básicos - Determinación directa de fracciones de masa de impurezas en polvos y gránulos de carburo de silicio mediante espectrometría de emisión óptica de plasma acoplado inductivamente (ICP OES) con vaporización electrotérmica (ETV); alemán v
- Estándar No.
- DIN EN 15991:2011
- Fecha de publicación
- 2011
- Organización
- German Institute for Standardization
- Estado
- Remplazado por
- DIN EN 15991:2016
- DIN EN 15991 E:2014-07
- Ultima versión
- DIN EN 15991:2016-02
- Alcance
- Esta norma europea define un método para la determinación de las concentraciones de elementos traza de Al, Ca, Cr, Cu, Fe, Mg, Ni, Ti, V y Zr en carburo de silicio en polvo y granulado. Dependiendo del elemento, la longitud de onda, las condiciones del plasma y el peso, este método de prueba es aplicable para contenidos en masa de las trazas de contaminación anteriores desde aproximadamente 0,1 mg/kg hasta aproximadamente 1000 mg/kg, después de la evaluación también desde 0,001 mg/kg hasta aproximadamente 5000 mg/kg.
DIN EN 15991:2011 Historia
- 2016 DIN EN 15991:2016-02 Ensayos de materiales cerámicos y básicos - Determinación directa de fracciones de masa de impurezas en polvos y gránulos de carburo de silicio mediante espectrometría de emisión óptica de plasma acoplado inductivamente (ICP OES) con vaporización electrotérmica (ETV); Germán...
- 2016 DIN EN 15991:2016 Ensayos de materiales cerámicos y básicos - Determinación directa de fracciones de masa de impurezas en polvos y gránulos de carburo de silicio mediante espectrometría de emisión óptica de plasma acoplado inductivamente (ICP OES) con vaporización electrotérmica (ETV); alemán v
- 2011 DIN EN 15991:2011 Ensayos de materiales cerámicos y básicos - Determinación directa de fracciones de masa de impurezas en polvos y gránulos de carburo de silicio mediante espectrometría de emisión óptica de plasma acoplado inductivamente (ICP OES) con vaporización electrotérmica (ETV); alemán v
- 2008 DIN 51096:2008 Ensayos de materias primas y básicas cerámicas: determinación directa de fracciones de masa de impurezas en polvos y gránulos de carburo de silicio mediante espectrometría de emisión óptica de plasma acoplado inductivamente (ICP OES) y vaporización electrotérmica (ETV).
