IEC 60749-34:2010 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 34: Ciclos de energía. normas y especificaciones

Alcance: Esta parte de IEC 60749 describe un método de prueba utilizado para determinar la resistencia de un dispositivo semiconductor a tensiones térmicas y mecánicas debidas al ciclo de la disipación de potencia de la matriz semiconductora interna y los conectores internos. Esto sucede cuando se aplican y eliminan periódicamente polarizaciones operativas de bajo voltaje para la conducción directa (corrientes de carga), lo que provoca cambios rápidos de temperatura. La prueba de ciclo de energía está destinada a simular aplicaciones típicas en electrónica de potencia y es complementaria a la vida operativa a alta temperatura (consulte IEC 60749-23). Es posible que la exposición a esta prueba no induzca los mismos mecanismos de falla que la exposición a los ciclos de temperatura aire-aire o al cambio rápido de temperatura usando el método de dos baños de fluidos. Esta prueba provoca desgaste y se considera destructiva. NOTA No es la intención de esta especificación proporcionar modelos de predicción para la evaluación de la vida útil.

IEC 60749-34:2010 Historia

2010 IEC 60749-34:2010 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 34: Ciclos de energía.
2005 IEC 60749-34:2005 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 34: Ciclos de energía.
2004 IEC 60749-34:2004 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 34: Ciclos de energía.