Se utiliza para determinar la resistencia de un dispositivo semiconductor a tensiones térmicas y mecánicas debidas al ciclo de la disipación de potencia de la matriz semiconductora interna y los conectores internos. Esto sucede cuando las polarizaciones operativas de bajo voltaje para la conducción directa
IEC 60749-34:2005 Historia
2010IEC 60749-34:2010 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 34: Ciclos de energía.
2005IEC 60749-34:2005 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 34: Ciclos de energía.
2004IEC 60749-34:2004 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 34: Ciclos de energía.