IEC 60749-23:2004
Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida útil a alta temperatura.

Estándar No.

IEC 60749-23:2004

Fecha de publicación

2004

Organización

International Electrotechnical Commission (IEC)

Estado

Remplazado por

IEC 60749-23:2011

Ultima versión

IEC 60749-23:2004/AMD1:2011

Reemplazar

IEC 47/1735/FDIS:2003

Alcance

Esta prueba se utiliza para determinar los efectos de las condiciones de polarización y la temperatura en dispositivos de estado sólido a lo largo del tiempo. Simula la condición de funcionamiento del dispositivo de forma acelerada y se utiliza principalmente para la calificación del dispositivo y el monitoreo de confiabilidad.

IEC 60749-23:2004 Historia

• 2011 IEC 60749-23:2004/AMD1:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida útil a alta temperatura.
• 2011 IEC 60749-23:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida útil a alta temperatura.
• 2004 IEC 60749-23:2004 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida útil a alta temperatura.