ASTM F1190-99(2005)
Guía estándar para la irradiación de neutrones de componentes electrónicos imparciales

Estándar No.
ASTM F1190-99(2005)
Fecha de publicación
1999
Organización
American Society for Testing and Materials (ASTM)
Estado
Remplazado por
ASTM F1190-11
Ultima versión
ASTM F1190-18
Alcance
Los dispositivos semiconductores quedan permanentemente dañados por los neutrones del espectro del reactor. El efecto de dicho daño en el rendimiento de un componente electrónico se puede determinar midiendo las características eléctricas del componente antes y después de la exposición a neutrones rápidos en el rango de fluencia de neutrones de interés. Los datos resultantes se pueden utilizar en el diseño de circuitos electrónicos que sean tolerantes a la degradación exhibida por ese componente. Esta guía proporciona un método mediante el cual la exposición de dispositivos semiconductores de silicio y arseniuro de galio a la irradiación de neutrones se puede realizar de manera repetible y que permitirá comparar los datos tomados en diferentes instalaciones. Para semiconductores distintos del silicio y el arseniuro de galio, esta guía proporciona un método que puede mejorar la coherencia en las mediciones y garantizar que los datos de varias instalaciones se puedan comparar en la misma escala de fluencia de equivalencia cuando las funciones de daño validadas de 1 MeV aplicables estén codificadas en las normas nacionales. estándares. En ausencia de una función de daño de 1 MeV validada, se puede utilizar como aproximación la pérdida de energía no ionizante (NIEL) como función de la energía de neutrones incidentes, normalizada al NIEL a 1 MeV. Consulte la Práctica E 722 para obtener una descripción del método. 1.1 Esta guía se aplica estrictamente sólo a la exposición de componentes semiconductores de silicio insesgado (SI) o arseniuro de galio (GaAs) (circuitos integrados, transistores y diodos) a la radiación de neutrones de un reactor nuclear. fuente para determinar el daño permanente en los componentes. Las funciones de daño de 1 MeV validadas y codificadas en los estándares nacionales no están disponibles actualmente para otros materiales semiconductores. 1.2 Los elementos de esta guía con las desviaciones indicadas también pueden ser aplicables a la exposición de semiconductores compuestos de otros materiales, excepto las funciones de daño de 1 MeV validadas y codificadas. Las normas nacionales no están disponibles actualmente. 1.3 En esta guía solo se abordan las condiciones de exposición. Los efectos de la radiación en la muestra de prueba deben determinarse utilizando métodos de prueba eléctricos apropiados.1.4 Esta guía aborda aquellas cuestiones e inquietudes relacionadas con las irradiaciones con neutrones del espectro del reactor.1.5 Las exposiciones de sistemas y subsistemas y los métodos de prueba no están incluidos en esta guía.1.6 Esta La guía es aplicable a irradiaciones realizadas con el reactor funcionando en modo pulsado o en estado estacionario. El rango de interés para la fluencia de neutrones en las pruebas de semiconductores con daños por desplazamiento oscila entre aproximadamente 109 y 1016 n/cm. 2.1.7 Esta guía no aborda los efectos de eventos de neutrones únicos o múltiples inducidos por neutrones ni el recocido transitorio. 1.8 Esta guía proporciona una alternativa a las pruebas Método 1017.3, Prueba de desplazamiento de neutrones, un componente de MIL-STD-883 y MIL-STD-750. El Departamento de Defensa ha restringido el uso de estos MIL-STD a programas existentes en 1995 y antes. Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso.

ASTM F1190-99(2005) Historia

  • 2018 ASTM F1190-18 Guía estándar para la irradiación de neutrones de componentes electrónicos imparciales
  • 2011 ASTM F1190-11 Guía estándar para la irradiación de neutrones de componentes electrónicos imparciales
  • 1999 ASTM F1190-99(2005) Guía estándar para la irradiación de neutrones de componentes electrónicos imparciales
  • 1999 ASTM F1190-99 Guía estándar para la irradiación de neutrones de componentes electrónicos imparciales
  • 1993 ASTM F1190-93 Guía estándar para la irradiación de neutrones de componentes electrónicos imparciales



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