1.1 Esta práctica se aplica a la exposición de componentes semiconductores insesgados de silicio (Si) o arseniuro de galio (GaAs) a la radiación de neutrones procedente de una fuente de reactor nuclear. En esta práctica sólo se abordan las condiciones de exposición. Los efectos de la radiación en la muestra de prueba deben determinarse utilizando métodos de prueba eléctricos apropiados. 1.2 Las exposiciones del sistema y subsistema y los métodos de prueba no están incluidos en esta práctica. 1.3 Esta práctica es aplicable a las irradiaciones realizadas con el reactor funcionando en modo pulsado o en estado estacionario. Los límites prácticos para la fluencia de neutrones ([phi]eq,1MeV,Si o [phi]eq,1MeV,GaAs) en pruebas de semiconductores varían de aproximadamente 10 a 10·16 n/cm. 1.4 Esta práctica aborda aquellas cuestiones e inquietudes relacionadas con las irradiaciones con neutrones de energías superiores a 10 keV. 1.5 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso.
ASTM F1190-93 Historia
2018ASTM F1190-18 Guía estándar para la irradiación de neutrones de componentes electrónicos imparciales
2011ASTM F1190-11 Guía estándar para la irradiación de neutrones de componentes electrónicos imparciales
1999ASTM F1190-99(2005) Guía estándar para la irradiación de neutrones de componentes electrónicos imparciales
1999ASTM F1190-99 Guía estándar para la irradiación de neutrones de componentes electrónicos imparciales
1993ASTM F1190-93 Guía estándar para la irradiación de neutrones de componentes electrónicos imparciales