ASTM F847-94(1999)
Métodos de prueba estándar para medir la orientación cristalográfica de planos en obleas de silicio monocristalino mediante técnicas de rayos X

Estándar No.

ASTM F847-94(1999)

Fecha de publicación

1994

Organización

American Society for Testing and Materials (ASTM)

Estado

Remplazado por

ASTM F847-02

Ultima versión

ASTM F847-02

Alcance

1.1 Estos métodos de prueba cubren la determinación de α, la desviación angular entre la orientación cristalográfica de la dirección perpendicular al plano de un plano fiduciario en una oblea de silicio circular y la orientación especificada del plano en el plano de la superficie de la oblea. . 1.2 Estos métodos de prueba son aplicables para obleas con valores de longitud plana en el rango de los especificados para obleas de silicio en la Especificación SEMI M1. Son adecuados para su uso únicamente en obleas con desviaciones angulares inferiores a +5176. 1.3 La precisión de la orientación lograda por estos métodos de prueba depende directamente de la precisión con la que la superficie plana se puede alinear con una guía de referencia y la precisión de la orientación de la guía de referencia con respecto al haz de rayos X. 1.4 Se cubren dos métodos de prueba de la siguiente manera: Secciones Método de prueba A---Difracción de borde de rayos X Método 8 a 13 Método de prueba B---Reflexión posterior de Laue Método de rayos X 14 a 18 1.4.1 El Método de prueba A no es destructivo y es similar al Método de prueba A de los Métodos de prueba F26, excepto que utiliza accesorios especiales para sujetar la oblea para orientar la oblea de manera única con respecto al goniómetro de rayos X. La técnica es capaz de medir la dirección cristalográfica de los planos con mayor precisión que el método de retrorreflexión de Laue. 1.4.2 El Método de prueba B tampoco es destructivo y es similar al Método de prueba E82 y a DIN 50 433, Parte 3, excepto que utiliza una película "instantánea" y accesorios especiales para orientar la superficie plana con respecto al haz de rayos X. . Aunque es más simple y rápido, no tiene la precisión del Método de prueba A porque utiliza accesorios y equipos menos precisos y menos costosos. Produce un registro cinematográfico permanente de la prueba. Nota 1: Se puede interpretar que la fotografía de Laue proporciona información sobre las direcciones cristalográficas de la desorientación de la oblea; sin embargo, esto está más allá del alcance del presente método de prueba. Los usuarios que deseen realizar dicha interpretación deben consultar el método de prueba E82 y DIN 50 433, parte 3, o un libro de texto estándar sobre rayos X. Con diferentes accesorios de sujeción de oblea, el Método de prueba B también es aplicable para determinar la orientación de la superficie de una oblea. 1.5 Los valores indicados en unidades pulgada-libra deben considerarse como estándar. Los valores entre paréntesis son sólo para información. 1.6 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso. Para indicaciones de peligro específicas, consulte la Sección 6.

ASTM F847-94(1999) Documento de referencia

• ASTM E122 Práctica estándar para calcular el tamaño de la muestra para estimar, con un error tolerable especificado, el promedio de la característica de un lote o proceso*， 2000-10-10 Actualizar
• ASTM E82 Método de prueba estándar para determinar la orientación de un cristal metálico
• ASTM F26 

ASTM F847-94(1999) Historia

• 1970 ASTM F847-02
• 1994 ASTM F847-94(1999) Métodos de prueba estándar para medir la orientación cristalográfica de planos en obleas de silicio monocristalino mediante técnicas de rayos X