IEC 60749-19:2003 Dispositivos de semiconductores Métodos de ensayos mecánicos y climáticos Parte 19: Resistencia de la pastilla au cisaillement (Edición 1.0)
Esta parte de IEC 60749 determina (ver nota) la integridad de los materiales y los procedimientos utilizados para unir la matriz semiconductora a los cabezales del paquete u otros sustratos (a los efectos de este método de prueba, se debe considerar que el término "matriz semiconductora" incluye elementos pasivos). . Este método de prueba generalmente solo se aplica a paquetes con cavidades o como monitor de proceso. No es aplicable para áreas de troquel superiores a 10 mm. Tampoco es aplicable a la tecnología de chip invertido ni a sustratos flexibles. NOTA Esta determinación se basa en una medida de la fuerza aplicada al dado o al elemento y, si ocurre una falla, el tipo de falla resultante de la aplicación de la fuerza y la apariencia visual del medio de unión del dado residual y el cabezal. /metalización del sustrato.
IEC 60749-19:2003 Historia
2010IEC 60749-19:2003/AMD1:2010 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 19: Ensayo de resistencia al corte.
2010IEC 60749-19:2010 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 19: Ensayo de resistencia al corte.
2003IEC 60749-19:2003 Dispositivos de semiconductores Métodos de ensayos mecánicos y climáticos Parte 19: Resistencia de la pastilla au cisaillement (Edición 1.0)