ASTM F1096-87 normas y especificaciones

Alcance: 1.1 Este método de prueba cubre la medición de voltaje umbral saturado MOSFET (Nota 1) mediante cualquiera de dos opciones: una opción permite la medición en condiciones de CC o velocidad de barrido muy baja y la otra permite la medición en condiciones de impulsos. En cualquier caso, se requiere que no se produzcan cambios significativos inducidos por la temperatura en las características del MOSFET. Es un método de conductancia aplicable en la región saturada de operación MOSFET. Las mediciones realizadas en la región del pliegue producirán valores no válidos. Para medir el voltaje umbral lineal, consulte el Método F617. NOTA1-MOS es un acrónimo de metai-óxido semiconductor; FET es un acrónimo de transistor de efecto de campo. 1.2 Este método de prueba es aplicable tanto a los MOSFET en modo de mejora como a los de modo de agotamiento, y tanto para los MOSFET de silicio-on-zafiro (SOS) como de silicio a granel. 1.3 Esta norma puede involucrar materiales, operaciones y equipos peligrosos. Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso.

ASTM F1096-87 Documento de referencia

ASTM F617 Método de prueba estándar para medir el voltaje umbral lineal de MOSFET (retirado en 2006)*， 2017-08-16 Actualizar