ASTM F617-00 Método de prueba estándar para medir el voltaje umbral lineal de MOSFET (retirado en 2006) normas y especificaciones

Alcance: 1.1 Este método de prueba cubre la medición del voltaje umbral lineal MOSFET (ver Nota 1) en condiciones de CC o velocidad de barrido muy baja. Es un método de conductancia de CC aplicable en la región lineal del funcionamiento de MOSFET donde es típico un voltaje de drenaje VD de aproximadamente 0,1 V. Nota 1: MOS es un acrónimo de semiconductor de óxido metálico; FET es un acrónimo de transistor de efecto de campo.1.2 Este método de prueba es aplicable a MOSFET tanto en modo de mejora como en modo de agotamiento, y tanto para MOSFET de silicio sobre aislante (SOI) como de silicio a granel. El método de prueba especifica convenciones de corriente y voltaje positivo aplicables específicamente a los MOSFET de canal n. La sustitución de voltaje negativo y corriente negativa hace que el método de prueba sea directamente aplicable a los MOSFET de canal p. 1.3 Los valores indicados en el Sistema Internacional de Unidades (SI) deben considerarse como estándar. No se incluyen otras unidades de medida en este método de prueba. 1.4 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso.

ASTM F617-00 Historia

2017 ASTM F617-00 Método de prueba estándar para medir el voltaje umbral lineal de MOSFET (retirado en 2006)