IEC 60749-17:2019
Dispositivos semiconductores – Métodos de prueba mecánicos y climáticos – Parte 17: Irradiación de neutrones (Edición 2.0)
- Estándar No.
- IEC 60749-17:2019
- Fecha de publicación
- 2019
- Organización
- IEC - International Electrotechnical Commission
- Ultima versión
- IEC 60749-17:2019
- Alcance
- La prueba de irradiación de neutrones se realiza para determinar la susceptibilidad de los dispositivos semiconductores a la degradación por pérdida de energía no ionizante (NIEL). La prueba aquí descrita es aplicable a circuitos integrados y dispositivos semiconductores discretos y está destinada a aplicaciones militares y aeroespaciales. Es una prueba destructiva. Los objetivos de la prueba son los siguientes: a) detectar y medir la degradación de los parámetros críticos del dispositivo semiconductor en función de la fluencia de neutrones y b) determinar si los parámetros específicos del dispositivo semiconductor están dentro de los límites especificados después de la exposición a un nivel específico de fluencia de neutrones (ver Cláusula 6).
IEC 60749-17:2019 Historia
- 2019 IEC 60749-17:2019 Dispositivos semiconductores – Métodos de prueba mecánicos y climáticos – Parte 17: Irradiación de neutrones (Edición 2.0)
- 2003 IEC 60749-17:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 17: Irradiación de neutrones.
