OVE EN IEC 63275-2:2021
Dispositivos semiconductores - Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio - Parte 2: Método de prueba para la degradación bipolar debido al funcionamiento del diodo del cuerpo (IEC 47/2680/CDV) (versión en inglés)

Estándar No.

OVE EN IEC 63275-2:2021

Fecha de publicación

2021

Organización

AT-OVE/ON

Ultima versión

OVE EN IEC 63275-2:2021

OVE EN IEC 63275-2:2021 Historia

• 2021 OVE EN IEC 63275-2:2021 Dispositivos semiconductores - Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio - Parte 2: Método de prueba para la degradación bipolar debido al funcionamiento del diodo del cuerpo (IEC 47/2680/CDV) (versión en inglés)