- Estándar No.
- SJ/T 2658.2-2015
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 2015
- Organización
- Professional Standard - Electron
- Ultima versión
-
SJ/T 2658.2-2015
- Reemplazar
-
SJ 2658.2-1986
- Alcance
- Esta parte especifica el diagrama del principio de medición, los pasos de medición y las condiciones específicas para el voltaje directo de los diodos emisores de infrarrojos semiconductores (en lo sucesivo, dispositivos). Esta sección se aplica a los diodos emisores de infrarrojos semiconductores.
SJ/T 2658.2-2015 Documento de referencia
- SJ/T 2658.1 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos.Parte 1: Generalidades
SJ/T 2658.2-2015 Historia
- 2015 SJ/T 2658.2-2015 Método de medición para diodos emisores de infrarrojos semiconductores. Parte 2: tensión directa
- 1970 SJ 2658.2-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de la caída de tensión directa
SJ/T 2658.2-2015 Método de medición para diodos emisores de infrarrojos semiconductores. Parte 2: tensión directa ha sido cambiado a SJ 2658.2-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de la caída de tensión directa.