IEC 62047-16:2015 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 16: Métodos de prueba para determinar tensiones residuales de películas MEMS - Métodos de curvatura de oblea y deflexión del haz en voladizo
Esta parte de IEC 62047 especifica los métodos de prueba para medir las tensiones residuales de películas con espesores en el rango de 0@01 ?? a 10?? en estructuras MEMS fabricadas mediante métodos de curvatura de oblea o deflexión de haz en voladizo. Las películas deben depositarse sobre un sustrato de propiedades mecánicas conocidas del módulo de Young y la relación de Poisson. Estos métodos se utilizan para determinar las tensiones residuales dentro de películas delgadas depositadas sobre el sustrato [1]1. 1 Los números entre corchetes se refieren a la Bibliografía.
IEC 62047-16:2015 Documento de referencia
IEC 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
IEC 62047-16:2015 Historia
2015IEC 62047-16:2015 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 16: Métodos de prueba para determinar tensiones residuales de películas MEMS - Métodos de curvatura de oblea y deflexión del haz en voladizo