IEC 62047-16:2015
Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 16: Métodos de prueba para determinar tensiones residuales de películas MEMS - Métodos de curvatura de oblea y deflexión del haz en voladizo

Estándar No.
IEC 62047-16:2015
Fecha de publicación
2015
Organización
International Electrotechnical Commission (IEC)
Ultima versión
IEC 62047-16:2015
Reemplazar
IEC 47F/209/FDIS:2014
Alcance
Esta parte de IEC 62047 especifica los métodos de prueba para medir las tensiones residuales de películas con espesores en el rango de 0@01 ?? a 10?? en estructuras MEMS fabricadas mediante métodos de curvatura de oblea o deflexión de haz en voladizo. Las películas deben depositarse sobre un sustrato de propiedades mecánicas conocidas del módulo de Young y la relación de Poisson. Estos métodos se utilizan para determinar las tensiones residuales dentro de películas delgadas depositadas sobre el sustrato [1]1. 1 Los números entre corchetes se refieren a la Bibliografía.

IEC 62047-16:2015 Documento de referencia

  • IEC 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada

IEC 62047-16:2015 Historia

  • 2015 IEC 62047-16:2015 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 16: Métodos de prueba para determinar tensiones residuales de películas MEMS - Métodos de curvatura de oblea y deflexión del haz en voladizo



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