GB/T 24578-2015 Método de prueba para medir la contaminación metálica de la superficie de obleas de silicio mediante espectroscopía de fluorescencia de rayos X de reflexión total (Versión en inglés)
Esta norma especifica el método para la determinación cuantitativa de la densidad de área de elementos en la capa superficial de sustratos pulidos de silicio mediante espectroscopía de fluorescencia de rayos X de reflexión total. Esta norma se aplica a las obleas pulidas de un solo cristal de silicio y a las obleas epitaxiales (en adelante denominadas obleas de silicio), especialmente a la determinación de la densidad superficial de elementos contaminados en la capa de óxido natural después de la limpieza de las obleas de silicio o en la capa de óxido cultivada por métodos químicos. . El rango de medición es 109 átomos/cm2~1015 átomos/cm2. Esta norma también es aplicable a otros materiales semiconductores, como arseniuro de galio, carburo de silicio, SOI y otros materiales para la determinación de la contaminación metálica de la superficie de obleas pulidas como espejo. Para una buena superficie pulida como espejo, la profundidad detectable es de aproximadamente 5 nm y la profundidad de análisis aumenta con la mejora de la rugosidad de la superficie. Este método puede detectar los elementos con número atómico 16(S)~92(U) en la tabla periódica, especialmente adecuado para la determinación de los siguientes elementos: potasio, calcio, titanio, vanadio, cromo, manganeso, hierro, cobalto, níquel. , cobre, zinc, arsénico, molibdeno, paladio, plata, estaño, tantalio, tungsteno, platino, oro, mercurio y plomo. El límite de detección de este método depende del número atómico, la energía de excitación, el flujo luminoso de los rayos X de excitación, el tiempo de integración de fondo del equipo y el valor en blanco. Para parámetros constantes del dispositivo, el límite de detección libre de interferencias es función del número atómico del elemento, que varía en más de dos órdenes de magnitud. Consulte el Apéndice A para conocer la relación entre repetibilidad y límite de detección. Este método no es destructivo y es un complemento de otros métodos de prueba. Para la comparación con diferentes métodos de prueba de superficies metálicas y la calibración de muestras de calibración, consulte el Apéndice B.
GB/T 14264 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 24578-2015 Historia
2015GB/T 24578-2015 Método de prueba para medir la contaminación metálica de la superficie de obleas de silicio mediante espectroscopía de fluorescencia de rayos X de reflexión total
2009GB/T 24578-2009 Método de prueba para medir la contaminación metálica de la superficie de obleas de silicio mediante espectroscopía de fluorescencia de rayos X de reflexión total