Esta norma especifica los métodos de prueba para el tipo de conductividad, resistividad, movilidad y concentración de portadores de materiales de cristal de carburo de silicio. Esta norma es aplicable a las pruebas de rendimiento eléctrico de monocristales de carburo de silicio con resistividad inferior a 1×10 Ω · cm y formas de cristal 6H y 4H en el rango de temperatura de (-263,15~426,85) ℃.
SJ/T 11499-2015 Historia
2015SJ/T 11499-2015 Método de prueba para medir las propiedades eléctricas del carburo de silicio monocristalino.