Esta norma especifica un método para determinar el contenido de boro sustituido en arseniuro de galio (GaAs) mediante absorción infrarroja a 77 K. Esta norma es aplicable a las pruebas del contenido de boro sustituido en monocristales de arseniuro de galio semiaislante con una resistividad superior a 10 Ω·cm. El rango efectivo para medir el contenido de boro es de 1×10 a ?cm a 2×10 a ?cm? cm.
SJ/T 11496-2015 Historia
2015SJ/T 11496-2015 Determinación de la concentración de boro en arseniuro de galio mediante absorción infrarroja.