JC/T 2133-2012
Determinación de impurezas en sol de sílice para solución de pulido en la industria de semiconductores. Método espectrométrico de emisión atómica de plasma acoplado inductivamente (Versión en inglés)
- Estándar No.
- JC/T 2133-2012
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 2012
- Organización
- Professional Standard - Building Materials
- Ultima versión
- JC/T 2133-2012
- Alcance
- Esta norma especifica un método para determinar el contenido de elementos de impureza en sol de sílice para fluidos de pulido de semiconductores mediante espectroscopía de emisión atómica de plasma acoplado inductivamente (ICP-AES). Esta norma se aplica a diversos sol de sílice utilizados en fluidos de pulido en el pulido mecánico químico de semiconductores (CMP). Los elementos impuros incluyen: aluminio, bario, calcio, cromo, cobre, hierro, potasio, magnesio, manganeso, sodio, níquel, titanio, zinc, circonio y otros 14 elementos.
JC/T 2133-2012 Documento de referencia
- GB/T 602 Reactivo químico--Preparaciones de soluciones estándar para impurezas.
- GB/T 6682 Agua para uso en laboratorio analítico. Especificación y métodos de prueba.
JC/T 2133-2012 Historia
- 2012 JC/T 2133-2012 Determinación de impurezas en sol de sílice para solución de pulido en la industria de semiconductores. Método espectrométrico de emisión atómica de plasma acoplado inductivamente
