GB/T 29057-2012
Práctica para la evaluación de varillas de silicio polocristalino mediante espectroscopía y crecimiento de cristales en zona flotante. (Versión en inglés)
- Estándar No.
- GB/T 29057-2012
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 2012
- Organización
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Estado
- 2024-03
- Remplazado por
- GB/T 29057-2023
- Ultima versión
- GB/T 29057-2023
- Alcance
- 2.1 Esta norma incluye procedimientos para tomar muestras de varillas de silicio policristalino, fundir y extraer el área de la muestra en cristales individuales y analizar las varillas de silicio monocristalinas extraídas mediante análisis espectroscópico para determinar trazas de impurezas en el silicio policristalino. Estas trazas de impurezas incluyen impurezas donantes (generalmente fósforo o arsénico, o ambos), impurezas aceptoras (generalmente boro o aluminio, o ambos) e impurezas de carbono. 2.2 El rango de medición de la concentración de impurezas aplicable en esta norma: las impurezas donadoras y aceptoras son (0,002 ~ 100) ppba (una proporción atómica de una milmillonésima), las impurezas de carbono son (0,02 ~ 15) ppma (una proporción atómica de una millonésima). Estas impurezas en las muestras se analizan mediante espectroscopia infrarroja de baja temperatura o espectroscopia de fotoluminiscencia. 2.3 Esta norma sólo es aplicable a la evaluación de varillas de polisilicio depositadas y cultivadas sobre núcleos de silicio.
GB/T 29057-2012 Historia
- 2023 GB/T 29057-2023 Práctica para la evaluación de varillas de silicio policristalino mediante fusión por zonas y análisis espectroscópico.
- 2012 GB/T 29057-2012 Práctica para la evaluación de varillas de silicio polocristalino mediante espectroscopía y crecimiento de cristales en zona flotante.
