IEC 60749-34:2010 describe un método de prueba utilizado para determinar la resistencia de un dispositivo semiconductor a tensiones térmicas y mecánicas debidas al ciclo de la disipación de potencia de la matriz semiconductora interna y los conectores internos. Esto sucede cuando se aplican y eliminan periódicamente polarizaciones operativas de bajo voltaje para la conducción directa (corrientes de carga), lo que provoca cambios rápidos de temperatura. La prueba de ciclo de energía está destinada a simular aplicaciones típicas en electrónica de potencia y es complementaria a la vida operativa a alta temperatura (consulte IEC 60749-23). La exposición a esta prueba puede no inducir los mismos mecanismos de falla que la exposición a los ciclos de temperatura aire-aire.