DS/EN 15991:2011
Ensayos de materiales cerámicos y básicos: determinación directa de fracciones de masa de impurezas en polvos y gránulos de carburo de silicio mediante espectrometría de emisión óptica de plasma acoplado inductivamente (ICP OES) con vaporización electrotérmica (ETV)

Alcance: Esta norma europea define un método para la determinación de las concentraciones de elementos traza de Al, Ca, Cr, Cu, Fe, Mg, Ni, Ti, V y Zr en carburo de silicio en polvo y granulado. Dependiendo del elemento, la longitud de onda, las condiciones del plasma y el peso, este método de prueba es aplicable para contenidos en masa de las trazas de contaminación anteriores desde aproximadamente 0,1 mg/kg hasta aproximadamente 1 000 mg/kg, después de la evaluación también desde 0,001 mg/kg hasta aproximadamente 5 000 mg/kg.NOTA 1 Generalmente, para la espectrometría de emisión óptica que utiliza plasma acoplado inductivamente (ICP OES) y vaporización electrotérmica (ETV), existe un rango de trabajo lineal de hasta cuatro órdenes de magnitud. Este rango se puede ampliar para t

DS/EN 15991:2011 Historia

2011 DS/EN 15991:2011 Ensayos de materiales cerámicos y básicos: determinación directa de fracciones de masa de impurezas en polvos y gránulos de carburo de silicio mediante espectrometría de emisión óptica de plasma acoplado inductivamente (ICP OES) con vaporización electrotérmica (ETV)