GB/T 27760-2011
Método de prueba para calibrar el aumento z de un microscopio de fuerza atómica a niveles de desplazamiento subnanométricos utilizando pasos monoatómicos de Si(111) (Versión en inglés)

Estándar No.
GB/T 27760-2011
Idiomas
Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación
2011
Organización
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Ultima versión
GB/T 27760-2011
Alcance
Esta norma especifica el método de medición para calibrar la escala de dirección z del microscopio de fuerza atómica utilizando la muestra de altura de paso atómico del plano cristalino de Si(111). Este estándar es aplicable a microscopios de fuerza atómica que funcionan en la atmósfera o en un ambiente de vacío, y su aumento en la dirección z alcanza el nivel máximo, es decir, el desplazamiento en la dirección z está en el rango de nanómetros y subnanómetros. Este es el microscopio de fuerza atómica utilizado para detectar superficies semiconductoras, dispositivos ópticos. Rango de detección utilizado frecuentemente en superficies y otras superficies de componentes de alta tecnología. Esta norma no señala todos los posibles problemas de seguridad. Antes de aplicar esta norma, el usuario es responsable de tomar las medidas de seguridad y salud adecuadas y garantizar el cumplimiento de las condiciones estipuladas en la normativa nacional pertinente.

GB/T 27760-2011 Documento de referencia

  • ISO 25178-6:2010 Especificaciones geométricas de producto (GPS) - Textura superficial: Areal - Parte 6: Clasificación de métodos para medir la textura superficial
  • ISO/IEC Guide 98-3:2008 Incertidumbre de medición. Parte 3: Guía para la expresión de la incertidumbre en la medición (GUM:1995)
  • ISO/TS 21748:2004 Guía para el uso de estimaciones de repetibilidad, reproducibilidad y veracidad en la estimación de la incertidumbre de la medición

GB/T 27760-2011 Historia

  • 2011 GB/T 27760-2011 Método de prueba para calibrar el aumento z de un microscopio de fuerza atómica a niveles de desplazamiento subnanométricos utilizando pasos monoatómicos de Si(111)



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