BS EN 60749-29:2011
Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Prueba de agarre

Estándar No.
BS EN 60749-29:2011
Fecha de publicación
2011
Organización
British Standards Institution (BSI)
Ultima versión
BS EN 60749-29:2011
Reemplazar
BS EN 60749-29:2003
Alcance
Esta parte de IEC 60749 cubre la prueba I y la prueba de bloqueo de sobretensión de circuitos integrados. Esta prueba está clasificada como destructiva. El propósito de esta prueba es establecer un método para determinar las características de enganche del circuito integrado (CI) y definir criterios de falla de enganche. Las características de enganche se utilizan para determinar la confiabilidad del producto y minimizar fallas de "no se encontraron problemas" (NTF) y de "sobretensión eléctrica" (EOS) debido al enganche. Este método de prueba es aplicable principalmente a dispositivos CMOS. Debe establecerse la aplicabilidad a otras tecnologías. La clasificación del enganche en función de la temperatura se define en 3.1 y los criterios de nivel de falla se definen en 3.2.

BS EN 60749-29:2011 Historia

  • 2011 BS EN 60749-29:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Prueba de agarre
  • 2004 BS EN 60749-29:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 29: Prueba de enganche.



© 2023 Reservados todos los derechos.