BS EN 62416:2010
Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS

Estándar No.

BS EN 62416:2010

Fecha de publicación

2010

Organización

British Standards Institution (BSI)

Ultima versión

BS EN 62416:2010

Alcance

Este estándar describe la prueba de portador caliente a nivel de oblea en transistores NMOS y PMOS. La prueba tiene como objetivo determinar si los transistores individuales en un determinado proceso (C)MOS cumplen con la vida útil requerida del portador caliente.

BS EN 62416:2010 Historia

• 2010 BS EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS