JIS K 0148:2005 Análisis químico de superficies: determinación de la contaminación elemental de la superficie en obleas de silicio mediante espectroscopía de fluorescencia de rayos X de reflexión total (TXRF)
Esta norma especifica un método para cuantificar la concentración atómica superficial de obleas de espejo de silicio u obleas epitaxiales mediante espectroscopia de fluorescencia de rayos X de reflexión interna total (TXRF). Este método se aplica a los siguientes análisis elementales. —Elementos con números atómicos de 16(S) a 92(U) —Elementos contaminantes con una concentración atómica superficial de 1 × 10 átomos/cm a 1 × 10 átomos/cm —Cuando se utiliza el método de pretratamiento de muestras VPD, Elementos contaminantes con números atómicos concentraciones entre 5 × 10 átomos/cm y 5 × 10 átomos/cm
2005JIS K 0148:2005 Análisis químico de superficies: determinación de la contaminación elemental de la superficie en obleas de silicio mediante espectroscopía de fluorescencia de rayos X de reflexión total (TXRF)