BS IEC 60747-8-4:2004
Dispositivos semiconductores discretos: transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) para aplicaciones de conmutación de potencia

Estándar No.

BS IEC 60747-8-4:2004

Fecha de publicación

2004

Organización

British Standards Institution (BSI)

Ultima versión

BS IEC 60747-8-4:2004

Alcance

Proporciona detalles para las siguientes categorías de transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) con diodos inversos: tipo de agotamiento tipo B (normalmente encendido) y tipo de mejora tipo C (normalmente apagado).

BS IEC 60747-8-4:2004 Historia

• 2004 BS IEC 60747-8-4:2004 Dispositivos semiconductores discretos: transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) para aplicaciones de conmutación de potencia