IEC 60747-8-4:2004
Dispositivos semiconductores discretos. Parte 8-4: Transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) para aplicaciones de conmutación de potencia.

Estándar No.

IEC 60747-8-4:2004

Fecha de publicación

2004

Organización

International Electrotechnical Commission (IEC)

Ultima versión

IEC 60747-8-4:2004

Reemplazar

IEC 47E/259/FDIS:2004

Alcance

Proporciona detalles para las siguientes categorías de transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) con diodos inversos: tipo de agotamiento tipo B (normalmente encendido) y tipo de mejora tipo C (normalmente apagado).

IEC 60747-8-4:2004 Historia

• 2004 IEC 60747-8-4:2004 Dispositivos semiconductores discretos. Parte 8-4: Transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) para aplicaciones de conmutación de potencia.