GB/T 24580-2009 (Versión en inglés)

Estándar No.: GB/T 24580-2009
Idiomas: Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación: 2009
Organización: General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Ultima versión: GB/T 24580-2009

Alcance: 1.1 Esta norma especifica el método de prueba de espectrometría de masas de iones secundarios para la contaminación por boro en sustratos de silicio tipo n fuertemente dopados. Esta norma se aplica a las pruebas de espectrometría de masas de iones secundarios (SIMS) de trazas de contaminación de boro (cantidad total) en materiales monocristalinos de sustrato de silicio tipo n fuertemente dopados. 1.2 Esta norma se aplica a la detección de la concentración de boro en materiales de silicio con concentraciones de dopaje de antimonio, arsénico y fósforo <0,2% (l×10 átomos/cm). Es especialmente adecuado para impurezas de tipo p que no están dopadas intencionalmente con boro, y su prueba de material de silicio con una concentración de nivel de trazas (

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