GB/T 24576-2009
Método de prueba para medir la fracción de Al en sustratos de AlGaAs mediante difracción de rayos X de alta resolución (Versión en inglés)
- Estándar No.
- GB/T 24576-2009
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 2009
- Organización
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Ultima versión
- GB/T 24576-2009
- Alcance
- Esta norma especifica el método de prueba para medir el contenido de Al en la capa epitaxial de AlGaAs sobre el sustrato de GaAs mediante difracción de rayos X de alta resolución. Este método es adecuado para la determinación del contenido de Al en la capa epitaxial de AlGaAs cultivada en dirección al sustrato de GaAs no dopado. Cuando se utiliza este método para medir el contenido del elemento Al, el espesor de la capa epitaxial de AlGaAs debe ser superior a 300 nm.
GB/T 24576-2009 Historia
- 2009 GB/T 24576-2009 Método de prueba para medir la fracción de Al en sustratos de AlGaAs mediante difracción de rayos X de alta resolución
