1.1 Este método de prueba destructivo determina si una muestra determinada de arseniuro de galio (GaAs) semiaislante permanecerá semiaislante después de la exposición a las altas temperaturas normalmente requeridas para la activación de las capas implantadas. 1.2 La suposición subyacente es que otras obleas de GaAs, cuyo historial de fabricación fue el mismo que el de la oblea de la que se tomó la muestra de prueba, responderán a las altas temperaturas de la misma manera. 1.3 El énfasis en este método de prueba está en la simplicidad y seguridad del aparato, y en asegurar una medición que sea independiente del aparato utilizado. 1.4 Este método de prueba es directamente aplicable a muestras de GaAs sin tapar ni implantar. Sin embargo, los usuarios de este método de prueba pueden extenderlo a muestras tapadas o implantadas, o ambas, en cuyo caso se recomienda una prueba controlada de muestras tapadas versus muestras no tapadas, o muestras implantadas versus no implantadas. 1.5 Este método de prueba detecta impurezas "de la masa" (es decir, del interior de la oblea de GaAs) que probablemente afectarán el comportamiento eléctrico de los dispositivos formados en la superficie de la oblea. Este método de prueba no es sensible a las impurezas de la superficie ni a las impurezas inducidas por el proceso, excepto como interferencias (ver Interferencias). 1.6
ASTM F1212-89(1996)e1 Historia
1989ASTM F1212-89(2002) Método de prueba estándar para pruebas de estabilidad térmica de obleas de arseniuro de galio
1989ASTM F1212-89(1996)e1 Método de prueba estándar para pruebas de estabilidad térmica de obleas de arseniuro de galio