ASTM F616M-96(2003) Método de prueba estándar para medir la corriente de fuga de drenaje MOSFET (métrico) normas y especificaciones

Alcance: 1.1 Este método de prueba cubre la medición de la corriente de fuga de drenaje MOSFET (Nota 1). Nota 18212; MOS es un acrónimo de semiconductor de óxido metálico; FET es un acrónimo de transistor de efecto de campo.1.2 Este método de prueba es aplicable a todos los MOSFET en modo de mejora y en modo de agotamiento. Este método de prueba especifica voltaje y corriente positivos, convenciones específicamente aplicables a MOSFET de canal n. La sustitución de voltaje negativo y corriente negativa hace que el método sea directamente aplicable a los MOSFET de canal p.1.3 Este método de prueba de CC es aplicable para el rango de voltajes de drenaje mayores que 0 V pero menores que el voltaje de ruptura del drenaje.1.4 Esta norma no pretende para abordar todos los problemas de seguridad, si los hubiera, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso.

ASTM F616M-96(2003) Documento de referencia

1996 ASTM F616M-96(2003) Método de prueba estándar para medir la corriente de fuga de drenaje MOSFET (métrico)
1996 ASTM F616M-96 Método de prueba estándar para medir la corriente de fuga de drenaje MOSFET (métrico)