SJ 50033/175-2007
Dispositivos discretos semiconductores Especificación detallada para el transistor de potencia de pulso de microondas de silicio tipo 3DA522 (Versión en inglés)

Estándar No.

SJ 50033/175-2007

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

2008

Organización

Professional Standard - Electron

Ultima versión

SJ 50033/175-2007

Alcance

Esta especificación especifica los requisitos detallados para el transistor de potencia de pulso de microondas de silicio 3DA522 (en adelante, el dispositivo). De acuerdo con lo dispuesto en 1.3 en GJB 33A-1997, los niveles de garantía de calidad proporcionados son nivel militar general, nivel militar especial y nivel militar súper especial, representados por las letras JP, JT y JCT respectivamente.

SJ 50033/175-2007 Documento de referencia

• GB/T 4587-1994 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados. Parte 7: transistores bipolares
• GB/T 7581 Dimensiones de contornos para dispositivos semiconductores discretos.
• GJB 128A-1997 Métodos de prueba de dispositivos semiconductores discretos
• GJB 33A-1997 Especificación general para dispositivos semiconductores discretos

SJ 50033/175-2007 Historia

• 2008 SJ 50033/175-2007 Dispositivos discretos semiconductores Especificación detallada para el transistor de potencia de pulso de microondas de silicio tipo 3DA522