SJ 50033/174-2007 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de potencia de pulso de microondas de silicio tipo 3DA521 (Versión en inglés)
Esta especificación especifica los requisitos detallados para el transistor de potencia de pulso de microondas de silicio 3DA521 (en lo sucesivo, el dispositivo). De acuerdo con las disposiciones de 1.3 en GJB 33A-1997, los niveles de garantía de calidad proporcionados son nivel militar general, nivel militar especial y súper. nivel militar especial, respectivamente, representado por las letras JP, JT y JCT.
SJ 50033/174-2007 Documento de referencia
GB/T 4587-1994 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados. Parte 7: transistores bipolares
GB/T 7581 Dimensiones de contornos para dispositivos semiconductores discretos.
GJB 128A-1997 Métodos de prueba de dispositivos semiconductores discretos
GJB 33A-1997 Especificación general para dispositivos semiconductores discretos
SJ 50033/174-2007 Historia
2008SJ 50033/174-2007 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de potencia de pulso de microondas de silicio tipo 3DA521