Esta parte de IEC 60749 es aplicable a dispositivos semiconductores (dispositivos discretos y circuitos integrados). El objetivo de esta parte es medir la fuerza de unión o determinar el cumplimiento de los requisitos de fuerza de unión específicos. NOTA Esta prueba es idéntica al método de prueba contenido en la cláusula 6 del capítulo 2 de IEC 60749 (1996), enmienda 1, salvo cambios a esta cláusula y renumeración. 1 Descripción general de la prueba Se describen siete métodos de prueba, cada uno con su propio propósito, es decir:
——los métodos A y B están destinados a probar las uniones internas de un dispositivo tirando directamente del cable de conexión;
——el método C está destinado a uniones externas al dispositivo y consiste en una tensión de despegado ejercida entre el cable o terminal y la placa o sustrato;
——el método D está destinado a uniones internas y consiste en una tensión de corte aplicada entre una matriz y un sustrato o configuraciones similares de unión frontal;
——los métodos E y F están destinados a uniones externas y consisten en una tensión de empuje o de tracción ejercida entre una matriz y el sustrato;
——el método G está destinado a probar la resistencia mecánica de las uniones de cables a una fuerza cortante. 2 Descripción del aparato de prueba (para todos los métodos) El aparato para esta prueba debe consistir en un equipo adecuado para aplicar la tensión especificada en la conexión, el cable conductor o los terminales según lo requerido en el método de prueba especificado. Una medición calibrada y una indicación de la tensión aplicada en newtons (N) en el punto de falla deberían proporcionarse mediante equipos capaces de medir tensiones de hasta 100 mN inclusive con una precisión de ±2,5 mN, tensiones entre 100 mN y 500 mN con una precisión de ±5 mN, y tensiones superiores a 500 mN con una precisión de ±2,5 % del valor indicado. Esta prueba está destinada a aplicarse a la unión entre cable y matriz, entre cable y sustrato o entre cable y terminal dentro del paquete de dispositivos semiconductores conectados por cable unidos mediante soldadura, termocompresión, ultrasonidos y otros métodos relacionados. técnicas.
BS EN 60749-22:2003 Historia
2018BS EN IEC 60749-12:2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Vibración, frecuencia variable
2002BS EN 60749-12:2002 Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Vibración, frecuencia variable
1999BS EN 60749:1999 Dispositivos semiconductores: métodos de prueba mecánicos y climáticos.