IS 12763-1989 PROCEDIMIENTOS PARA CORRECCIONES DE TEMPERATURA E IRRADIANCIA A LAS CARACTERÍSTICAS MEDIDAS IV DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS DE SILICIO CRISTALINO
Esta norma describe los procedimientos para las correcciones de temperatura e irradiancia de las características IV medidas de dispositivos fotovoltaicos de silicio cristalino. Incluye procedimientos para la determinación de coeficientes de temperatura, resistencia interna en serie y factor de corrección de curva. Estos procedimientos son aplicables en un rango de irradiancia de ± 30% del nivel al que se realizaron las mediciones. Notas I. — Estos procedimientos se limitan a dispositivos lineales. 2. — Los dispositivos fotovoltaicos incluyen una sola célula solar, un subconjunto de células solares o un módulo plano. Se aplica un conjunto diferente de valores para cada tipo de dispositivo. Aunque la determinación de los coeficientes de temperatura para un módulo (o subconjunto de celdas) puede calcularse a partir de mediciones de una sola celda, debe tenerse en cuenta que la resistencia en serie interna y el factor de corrección de la curva deben medirse por separado para un módulo o subconjunto de celdas. 3. — El término "muestra de prueba" se utiliza para designar cualquiera de estos dispositivos.
IS 12763-1989 Historia
1990IS 12763-1989 PROCEDIMIENTOS PARA CORRECCIONES DE TEMPERATURA E IRRADIANCIA A LAS CARACTERÍSTICAS MEDIDAS IV DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS DE SILICIO CRISTALINO