IEC 60749-36:2003
Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 36: Aceleración, estado estacionario.

Estándar No.

IEC 60749-36:2003

Fecha de publicación

2003

Organización

International Electrotechnical Commission (IEC)

Ultima versión

IEC 60749-36:2003

Reemplazar

IEC 47/1667/FDIS:2002 IEC 60749:1996 IEC 60749 AMD 2:2001 IEC 60749 Edition 2.2:2002

Alcance

Esta parte de IEC 60749 proporciona una prueba para determinar los efectos de la aceleración constante en dispositivos semiconductores de tipo cavidad. Es una prueba acelerada diseñada para indicar tipos de debilidades estructurales y mecánicas que no necesariamente se detectan en pruebas de impacto y vibración. Puede usarse como una prueba de alto estrés (destructiva) para determinar los límites mecánicos del paquete, la metalización interna y el sistema de cables, la unión del troquel o sustrato y otros elementos del dispositivo microelectrónico. Cuando se hayan establecido los niveles de tensión adecuados, este método de prueba también se puede emplear como una pantalla no destructiva en línea al 100 % para detectar y eliminar dispositivos con resistencias mecánicas inferiores a las normales en cualquiera de los elementos estructurales. En general, este método de prueba de aceleración en estado estacionario cumple con la norma IEC 60068-2-7 pero, debido a requisitos específicos de los semiconductores, se aplican las cláusulas de esta norma.

IEC 60749-36:2003 Historia

• 2003 IEC 60749-36:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 36: Aceleración, estado estacionario.