IEC 60749-38:2008
Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 38: Método de prueba de error leve para dispositivos semiconductores con memoria.
- Estándar No.
- IEC 60749-38:2008
- Fecha de publicación
- 2008
- Organización
- International Electrotechnical Commission (IEC)
- Ultima versión
- IEC 60749-38:2008
- Reemplazar
- IEC 47/1943/FDIS:2007
- Alcance
- Esta parte de IEC 60749 establece un procedimiento para medir la susceptibilidad a errores leves de dispositivos semiconductores con memoria cuando se someten a partículas energéticas como la radiación alfa. Se describen dos pruebas; una prueba acelerada que utiliza una fuente de radiación alfa y una prueba de sistema (no acelerada) en tiempo real donde los errores se generan en condiciones de radiación natural que puede ser alfa u otra radiación como la de neutrones. Para caracterizar completamente la capacidad de error suave de un circuito integrado con memoria, el dispositivo debe probarse para detectar un amplio espectro de alta energía y neutrones térmicos utilizando métodos de prueba adicionales. Este método de prueba se puede aplicar a cualquier tipo de circuito integrado con dispositivo de memoria.
IEC 60749-38:2008 Historia
- 2008 IEC 60749-38:2008 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 38: Método de prueba de error leve para dispositivos semiconductores con memoria.
