BS ISO 17560:2002
Análisis químico de superficies - Espectrometría de masas de iones secundarios - Método para perfilar en profundidad el boro en silicio

Estándar No.

BS ISO 17560:2002

Fecha de publicación

2002

Organización

British Standards Institution (BSI)

Estado

 2014-09

Remplazado por

BS ISO 17560:2014

Ultima versión

BS ISO 17560:2014

Reemplazar

99/124265 DC:1999

Alcance

Esta norma internacional especifica un método de espectrometría de masas de iones secundarios que utiliza espectrómetros de masas de sector magnético o cuadrupolo para realizar perfiles de profundidad de boro en silicio, y que utiliza perfilometría de lápiz óptico o interferometría óptica para la calibración de escala de profundidad. Este método es aplicable a muestras de monocristal, policristalino o silicio amorfo con concentraciones atómicas de boro entre 1 × 10 átomos/cm y 1 × 10 átomos/cm, y a profundidades de cráter de 50 nm o más.

BS ISO 17560:2002 Historia

• 2014 BS ISO 17560:2014 Análisis químico de superficies. Espectrometría de masas de iones secundarios. Método para perfilar en profundidad boro en silicio.
• 2002 BS ISO 17560:2002 Análisis químico de superficies - Espectrometría de masas de iones secundarios - Método para perfilar en profundidad el boro en silicio